Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate
- ZUBIAGA MONSALVE, ASIER
- José Ángel García Martínez Zuzendaria
- Fernando Plazaola Muguruza Zuzendarikidea
Defentsa unibertsitatea: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea
Fecha de defensa: 2006(e)ko azaroa-(a)k 10
- Miguel Ángel Pérez Jubindo Presidentea
- Vicente Muñoz Sanjosé Idazkaria
- Filip Tijo Misto Kidea
- María Carmen Martínez-Tomás Kidea
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.