Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate
- ZUBIAGA MONSALVE, ASIER
- José Ángel García Martínez Directeur
- Fernando Plazaola Muguruza Co-directeur
Université de défendre: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea
Fecha de defensa: 10 novembre 2006
- Miguel Ángel Pérez Jubindo President
- Vicente Muñoz Sanjosé Secrétaire
- Filip Tijo Misto Rapporteur
- María Carmen Martínez-Tomás Rapporteur
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.