Post-implantation annealing of SiC studied by slow-positron spectroscopies

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Revista:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 0953-8984

Año de publicación: 1998

Volumen: 10

Número: 5

Páginas: 1147-1156

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0953-8984/10/5/022 GOOGLE SCHOLAR

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