Positron studies of defects in ion-implanted SiC

  1. Brauer, G
  2. Anwand, W
  3. Coleman, PG
  4. Knights, AP
  5. Plazaola, F
  6. Pacaud, Y
  7. Skorupa, W
  8. Stormer, J
  9. Willutzki, P
Zeitschrift:
PHYSICAL REVIEW B

ISSN: 0163-1829

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 54

Nummer: 5

Seiten: 3084-3092

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVB.54.3084 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS