Positron studies of defects in ion-implanted SiC

  1. Brauer, G
  2. Anwand, W
  3. Coleman, PG
  4. Knights, AP
  5. Plazaola, F
  6. Pacaud, Y
  7. Skorupa, W
  8. Stormer, J
  9. Willutzki, P
Aldizkaria:
PHYSICAL REVIEW B

ISSN: 0163-1829

Argitalpen urtea: 1996

Alea: 54

Zenbakia: 5

Orrialdeak: 3084-3092

Mota: Artikulua

DOI: 10.1103/PHYSREVB.54.3084 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: WoS