Recombination processes in unintentionally doped GaTe single crystals

  1. Zubiaga, A.
  2. García, J.A.
  3. Plazaola, F.
  4. Muñoz-Sanjosé, V.
  5. Martínez-Tomás, M.C.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 92

Nummer: 12

Seiten: 7330-7336

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1523144 GOOGLE SCHOLAR

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