Recombination processes in unintentionally doped GaTe single crystals

  1. Zubiaga, A.
  2. García, J.A.
  3. Plazaola, F.
  4. Muñoz-Sanjosé, V.
  5. Martínez-Tomás, M.C.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2002

Alea: 92

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 7330-7336

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1523144 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus